Выделить в тексте слова:

                                                  

G11C - Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G 11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H 01L, например H 01L 27/108 - H 01L 27/115; импульсная техника вообще H 03K, например электронные переключатели H 03K 17/00)


Примечания
(1) К данному подклассу отнесены устройства или приспособления для хранения цифровой или аналоговой информации:
         (i) без относительного движения устройства для хранения информации и преобразователя;
         (ii) с устройством выбора для записывания или выдачи информации из запоминающего устройства.
(2) Элементы, не предназначенные для запоминания и не имеющие средств для хранения информации, следует классифицировать в соответствующих подклассах, например классов  H 01,  H 03K.
(3) В данном подклассе перечисленные ниже термины используются в следующих значениях: [8]
         - "запоминающий элемент" - элемент, который может содержать по крайней мере одну единицу информации и снабжен средствами для записи или считывания этой информации; [8]
         - "память" - устройство, содержащее запоминающие элементы для хранения информации, которая должна извлекаться по желанию потребителя. [8]

Содержание подкласса
ЗАПИСЬ ИЛИ СЧИТЫВАНИЕ ИНФОРМАЦИИ 7/00
ВЫБОРКА АДРЕСОВ 8/00
ЦИФРОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА, ОТЛИЧАЮЩИЕСЯ ТИПОМ ЭЛЕМЕНТА
Электрические и магнитные; конструктивные элементы 11/00 5/00
Механические 23/00
Пневматические и гидравлические 25/00
Прочие 13/00
ЦИФРОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА, ОТЛИЧАЮЩИЕСЯ ВСПОМОГАТЕЛЬНЫМИ СРЕДСТВАМИ 14/00
ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА СО СТИРАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ 16/00
ЦИФРОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА, ОТЛИЧАЮЩИЕСЯ ХАРАКТЕРОМ ДВИЖЕНИЯ НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ
Сдвиг; циркуляция 19/00 21/00
ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА, ОТЛИЧАЮЩИЕСЯ ХАРАКТЕРОМ АССОЦИАТИВНОЙ ФУНКЦИИ
Ассоциативные; аналоговые; только для считывания 15/00 27/00 17/00
КОНТРОЛЬ РАБОТЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ 29/00
ТЕМАТИКА, НЕ ПРЕДУСМОТРЕННАЯ В ДРУГИХ ГРУППАХ ДАННОГО ПОДКЛАССА 99/00
G11C 5/00Конструктивные элементы запоминающих устройств, отнесенных к группе  11/00
G11C 5/02     .размещение элементов памяти, например в форме матриц
G11C 5/04     ..подложки для элементов памяти; крепление или фиксация элементов памяти на них
G11C 5/05     ...крепление сердечников в матрицах [2]
G11C 5/06     .устройства для электрического соединения элементов, например с помощью проводов
G11C 5/08     ..для соединения магнитных элементов, например тороидальных сердечников
G11C 5/10     ..для соединения конденсаторов
G11C 5/12     .способы и устройства для соединения элементов памяти, например для обмотки тороидальных сердечников
G11C 5/14     .устройства для электропитания (вспомогательные схемы в запоминающих устройствах, использующих полупроводниковые приборы  11/4063,  11/413,  11/4193; вообще  G 05F,  H 02J,  H 02M) [5, 7]
G11C 7/00Устройства для записи или считывания информации в цифровых запоминающих устройствах ( 5/00 имеет преимущество; вспомогательные схемы в запоминающих устройствах, использующих полупроводниковые приборы  11/4063,  11/413,  11/4193) [2, 5]
G11C 7/02     .со средствами для устранения паразитических сигналов
G11C 7/04     .со средствами для устранения помех, возникающих при изменениях температуры
G11C 7/06     .усилители считывания; ассоциативные схемы (усилители как таковые  H 03F,  H 03K) [1, 7]
G11C 7/08     ..управление [7]
G11C 7/10     .устройства интерфейса ввода-вывода данных, например схемы управления вводом-выводом данных, ввода-вывода буферных данных (схемы переходных устройств вообще  H 03K 19/0175) [7]
G11C 7/12     .схемы управления разрядной линией, например драйверы, бустеры, схемы срабатывания, схемы сброса, схемы коррекции, схемы предварительного заряда, для разрядных линий [7]
G11C 7/14     .управление резервной ячейкой; генераторы опорного напряжения для усилителей считывания [7]
G11C 7/16     .хранение аналоговых сигналов в цифровых запоминающих устройствах, содержащих аналого-цифровые преобразователи, цифровые накопители и цифро-аналоговые преобразователи [7]
G11C 7/18     .организация разрядной линии; размещение разрядной линии [7]
G11C 7/20     .схемы запуска ячейки памяти, например при увеличении или уменьшении подводимой мощности, очистке памяти, латентном изображении памяти [7]
G11C 7/22     .схемы тактирования или синхронизации сигналов записи-считывания ; генераторы управляющих сигналов или управление сигналами записи-считывания [7]
G11C 7/24     .схемы защиты и безопасности ячейки памяти, например устройства для предотвращения несанкционированного случайного доступа к ячейкам памяти при осуществлении записи-считывании; ячейки состояния; ячейки контроля [7]
G11C 8/00Устройства для выборки адресов из цифрового запоминающего устройства (вспомогательные схемы в запоминающих устройствах, использующих полупроводниковые приборы  11/4063,  11/413,  11/4193) [2, 5]
G11C 8/02     .с использованием выбора матриц [2]
G11C 8/04     .с использованием устройств с последовательной адресацией, например сдвиговых регистров, регистров счетчиков (с использованием стековой организации памяти (FIFO)- первым вошел - первым вышел для изменения скорости прохождения данных  G 06F 5/06; с использованием регистров стековой организации памяти (LIFO) - последним вошел - первым вышел для обработки цифровых данных с воздействием на порядок их расположения  G 06F 7/00) [5]
G11C 8/06     .устройства адресного интерфейса, например адресные буферы, (схемы переходных устройств вообще  H 03K 19/0175) [7]
G11C 8/08     .схемы управления числовой шиной, например драйверы, бустеры, схемы срабатывания, схемы сброса, схемы предварительного заряда для числовых шин [7]
G11C 8/10     .декодеры [7]
G11C 8/12     .схемы выбора групп, например выбор блока памяти, выбор чипов, выбор массива [7]
G11C 8/14     .организация числовой шины; размещение числовой шины [7]
G11C 8/16     .многократный доступ к массиву памяти, например адресация одного элемента памяти по крайней мере посредством двух независимых групп адресных линий [7]
G11C 8/18     .схемы тактирования или синхронизации адреса; управление или получение сигналов управления адресом, например для сигналов стробирования в адресном ряду или адресном столбце [7]
G11C 8/20     .схемы безопасности или защиты адреса, т.е. устройства для предотвращения несанкционированного или случайного доступа [7]
G11C 11/00Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них ( 14/00 - 21/00 имеют преимущество) [5]
Примечание
Рубрика  11/56 имеет преимущество перед рубриками  11/02 - 11/54. [2]
G11C 11/02     .с использованием магнитных элементов
G11C 11/04     ..цилиндрической формы, например стержней, проволоки ( 11/12,  11/14 имеют преимущество) [2]
G11C 11/06     ..с одним отверстием, например кольцевых сердечников; пластин с несколькими отверстиями, каждое из которых образует элемент памяти
G11C 11/061     ...с использованием элементов с одним отверстием или магнитным контуром для запоминания (один элемент на один бит информации) и для считывания с разрушением информации [2]
G11C 11/063     ....с битовой организацией, например с двухуровневой и(или) двухмерной или трехмерной организацией, т.е. для выбора элемента с помощью по меньшей мере двух совпадающих пониженных токов как для считывания, так и для записи [2]
G11C 11/065     ....с пословной организацией, например двумерной или прямой выборкой, т.е. для выбора всех элементов слова с помощью одного полного тока считывания [2]
G11C 11/067     ...с использованием элементов с одним отверстием или магнитным контуром для запоминания (один элемент на один бит информации) и считывания без разрушения информации [2]
G11C 11/08     ..многодырочных элементов памяти, например трансфлюксоров; пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти ( 11/10 имеет преимущество; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти  11/06) [2]
G11C 11/10     ..многоосевых
G11C 11/12     ..тензоров; твисторов, т.е. элементов, в которых одна ось магнетизации скручивается
G11C 11/14     ..тонкопленочных
G11C 11/15     ...с использованием нескольких магнитных слоев ( 11/155 имеет преимущество) [2]
G11C 11/155     ...цилиндрической формы [2]
G11C 11/16     ..в которых эффект памяти основан на спин-эффекте
G11C 11/18     .с использованием устройств, основанных на эффекте Холла
G11C 11/19     .с использованием нелинейных реактивных приборов в резонансных контурах [2]
G11C 11/20     ..с использованием параметронов [2]
G11C 11/21     .с использованием электрических элементов [2]
G11C 11/22     ..с использованием сегнетоэлектрических элементов [2]
G11C 11/23     ..с исользованием электростатической памяти на общей пленке, например электростатических ламп Форрестора-Хеффа ( 11/22 имеет преимущество) [2]
G11C 11/24     ..с использованием конденсаторов ( 11/22 имеет преимущество; использование сочетания полупроводниковых приборов и конденсаторов  11/34, например  11/40) [2, 5]
G11C 11/26     ..с использованием электронных или газоразрядных ламп [2]
G11C 11/28     ...газонаполненных ламп [2]
G11C 11/30     ...вакуумных ламп ( 11/23 имеет преимущество) [2]
G11C 11/34     ..с применением полупроводниковых приборов [2]
G11C 11/35     ...с накоплением заряда в обедненном слое, например устройства с зарядовой связью [7]
G11C 11/36     ...диодов, например применяемых в качестве пороговых элементов [2]
G11C 11/38     ....туннельных диодов [2]
G11C 11/39     ...тиристоров [5]
G11C 11/40     ...транзисторов [2]
G11C 11/401     ....образующих ячейки, для которых необходимо восстановление или регенерация заряда, т.е. динамические ячейки [5]
G11C 11/402     .....с регенерацией заряда отдельно для каждой ячейки памяти, т.е. внутреннее восстановление [5]
G11C 11/403     .....с регенерацией заряда, общего для множества ячеек памяти, т.е. внешнее восстановление [5]
G11C 11/404     ......с одним вентилем с переносом заряда, например МОП-транзистором, в одной ячейке памяти [5]
G11C 11/405     ......с тремя вентилями с переносом заряда, например МОП-транзисторами, в одной ячейке памяти [5]
G11C 11/406     .....управление или регулирование циклов восстановления или регенерации заряда [5]
G11C 11/4063     .....вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания или синхронизации [7]
G11C 11/4067     ......для ячеек памяти биполярного типа [7]
G11C 11/407     ......вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания или синхронизации ячеек памяти с полевым эффектом [5]
G11C 11/4072     .......схемы инициализации, включения или выключения, установки в исходное состояние или предварительной настройки [7]
G11C 11/4074     .......схемы электропитания или генерирования напряжения, например генераторы напряжения смещения, генераторы напряжения замены, резервное электропитание, схемы регулирования мощности [7]
G11C 11/4076     .......схемы синхронизации (для управления регенерации  11/406) [7]
G11C 11/4078     .......схемы безопасности или защиты, например для предотвращения непреднамеренной или несанкционированной записи или считывания; ячейки состояния; тестовые ячейки (защита содержимого памяти во время проверки или испытания  29/52) [7]
G11C 11/408     .......адресные схемы [5]
G11C 11/409     .......схемы записи-считывания (R-W) [5]
G11C 11/4091     ........усилители считывания или считывания/восстановления или соответствующая электрическая схема считывания, например для предварительного заряжения, стабилизации, коррекции или разделения разрядных линий связи [7]
G11C 11/4093     ........устройства связи (интерфейсные устройства) для ввода-вывода (E/S, I/O) данных, например буферные устройства (схемы преобразования уровня вообще  H 03K 19/0175) [7]
G11C 11/4094     ........схемы управления или регулирования разрядных линий [7]
G11C 11/4096     ........схемы управления или регулирования ввода-вывода (E/S, I/O) данных, например схемы записи или считывания, драйверы ввода-вывода, переключатели разрядных линий [7]
G11C 11/4097     ........структура разрядных линий, например компоновка разрядных линий, свертывание разрядных линий [7]
G11C 11/4099     ........активирование резервных ячеек; генераторы опорного напряжения [7]
G11C 11/41     ....образующих ячейки с положительной обратной связью, т.е. ячейки, не нуждающиеся в восстановлении или регенерации заряда, например бистабильные мультивибраторы или триггеры Шмидта [5]
G11C 11/411     .....с использованием только биполярных транзисторов [5]
G11C 11/412     .....с использованием только полевых транзисторов [5]
G11C 11/413     .....вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания, синхронизации или снижения мощности [5]
G11C 11/414     ......для элементов памяти биполярного типа [5]
G11C 11/415     .......адресные схемы [5]
G11C 11/416     .......схемы записи - считывания [5]
G11C 11/417     ......для элементов памяти с полевым эффектом [5]
G11C 11/418     .......адресные схемы [5]
G11C 11/419     .......схемы записи - считывания [5]
G11C 11/4193     ...вспомогательные схемы, приспособленные для особых типов полупроводниковых запоминающих устройств, например для адресации, запуска, считывания, синхронизации, электропитания, распространения сигнала ( 11/4063,  11/413 имеют преимущество) [7]
G11C 11/4195     ....адресные схемы [7]
G11C 11/4197     ....схемы записи-считывания [7]
G11C 11/42     ..с использованием оптоэлектронных приборов, т.е. светоизлучающих и фотоэлектрических устройств, связанных оптически или электрически
G11C 11/44     ..с использованием сверхпроводящих элементов, например криотронов [2]
G11C 11/46     .с использованием термопластичных элементов
G11C 11/48     .с использованием перемещающихся элементов, например ферромагнитных сердечников для изменения индуктивности или индуктивной связи
G11C 11/50     .с использованием электрических контактных устройств для накопления информации (механические устройства памяти  23/00; переключатели, обеспечивающие определенное число срабатываний при однофазном воздействии на ручной элемент управления  H 01H 41/00)
G11C 11/52     ..электромагнитных реле
G11C 11/54     .с использованием элементов, имитирующих биологические клетки, например нейроны
G11C 11/56     .с использованием запоминающих элементов с более чем двумя состояниями устойчивости, определяемыми импульсами, например напряжения, тока или импульсными изменениями фазы или частоты (счетные устройства, содержащие элементы такого типа со многими состояниями устойчивости,  H 03K 25/00,  H 03K 29/00) [2]
G11C 13/00Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением элементов памяти, не отнесенных к группам  11/00,  23/00 или  25/00
G11C 13/02     .с использованием элементов, работа которых зависит от химических изменений (с использованием электрохимического заряда  11/00)
G11C 13/04     .с использованием оптических элементов
G11C 13/06     ..с использованием магнитооптических элементов (магнитооптика вообще  G 02F) [2]
G11C 14/00Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся использованием энергозависимых и энергонезависимых ячеек для резервирования в случае отключения электропитания [5]
G11C 15/00Цифровые запоминающие устройства, в которых информация, состоящая из нескольких частей, записывается и считывается путем выбора одной или нескольких таких частей, т.е. устройства ассоциативной памяти (в которых информация адресуется в особую ячейку  11/00) [2]
G11C 15/02     .с использованием магнитных элементов [2]
G11C 15/04     .с использованием полупроводниковых элементов [2]
G11C 15/06     .с использованием сверхпроводящих элементов [2]
G11C 16/00Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией ( 14/00 имеет преимущество) [5]
G11C 16/02     .электрически программируемые [5]
G11C 16/04     ..с использованием транзисторов с переменным порогом, например лавинно-инжекционного моп-транзистора с плавающим затвором [5]
G11C 16/06     ..вспомогательные схемы, например, для записи в запоминающее устройство (вообще  7/00) [5]
G11C 16/08     ...адресные схемы; декодеры; схемы управления числовой шиной [7]
G11C 16/10     ...схемы программирования или ввода данных [7]
G11C 16/12     ....схемы программирования переключающего напряжения [7]
G11C 16/14     ....схемы стирания, например схемы стирания переключающего напряжения электрическим способом [7]
G11C 16/16     .....для стирания блоков, например массивов, слов, групп [7]
G11C 16/18     ....схемы оптического стирания [7]
G11C 16/20     ....инициализация; предварительный набор данных; идентификация микросхемы [7]
G11C 16/22     ...схемы безопасности или защиты, предотвращающие несанкционированный или случайный доступ к ячейкам памяти [7]
G11C 16/24     ...схемы управления разрядными линиями [7]
G11C 16/26     ...схемы считывания или чтения; схемы вывода данных [7]
G11C 16/28     ....с использованием дифференциальных ячеек считывания или эталонных ячеек, например резервных ячеек [7]
G11C 16/30     ...схемы электропитания [7]
G11C 16/32     ...схемы синхронизации [7]
G11C 16/34     ...для определения состояния программирования, например порогового напряжения, перегрузки или недогрузки программирования, сохранения [7]
G11C 17/00Постоянные запоминающие устройства с однократным программированием; полупостоянные запоминающие устройства, например с ручной заменой информационных карт (программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией  16/00; кодирование, декодирование или преобразование кода вообще  H 03M) [2, 5]
G11C 17/02     .с использованием магнитных или индуктивных связей или элементов ( 17/14 имеет преимущество) [2, 5]
G11C 17/04     .с использованием емкостных связей или элементов ( 17/06,  17/14 имеют преимущество) [2, 5]
G11C 17/06     .с использованием диодных связей или элементов ( 17/14 имеет преимущество) [2, 5]
G11C 17/08     .с использованием полупроводниковых приборов, например биполярных элементов ( 17/06,  17/14 имеют преимущество) [5]
G11C 17/10     ..в которых содержимое определяется в процессе изготовления заданным размещением элементов связи, например программируемые фотошаблонами постоянные запоминающие устройства [5]
G11C 17/12     ...с использованием приборов с полевым эффектом [5]
G11C 17/14     .в которых содержимое определяется путем выборочного размещения, размыкания или модификации соединительных перемычек при помощи постоянного изменения состояния элементов связи, например программируемые постоянные запоминающие устройства [5]
G11C 17/16     ..с использованием электрически расплавляемых линий связи [5]
G11C 17/18     ..вспомогательные схемы, например для записи в запоминающее устройство (вообще  7/00) [5]
G11C 19/00Цифровые запоминающие устройства со ступенчатым движением информации, например сдвиговые регистры (счетные цепи  H 03K 23/00)
G11C 19/02     .с использованием магнитных элементов ( 19/14 имеет преимущество) [2]
G11C 19/04     ..сердечников с одним отверстием или магнитного контура [2]
G11C 19/06     ..конструкций с несколькими отверстиями или магнитными контурами, например трансфлюксоров [2]
G11C 19/08     ..с использованием плоских тонких пленок [2]
G11C 19/10     ..с использованием тонких пленок, нанесенных на стержни; с твисторами [2]
G11C 19/12     .с использованием нелинейных реактивных приборов в резонансных контурах [2]
G11C 19/14     .с использованием магнитных элементов в комбинации с активными элементами, например электронными или газоразрядными лампами, полупроводниковыми приборами ( 19/34 имеет преимущество) [2, 7]
G11C 19/18     .с использованием конденсаторов в качестве основных элементов ступени [2]
G11C 19/20     .с использованием электронных или газоразрядных ламп ( 19/14 имеет преимущество) [2]
G11C 19/28     .с использованием полупроводниковых приборов ( 19/14,  19/36 имеют преимущество) [2, 7]
G11C 19/30     .с использованием электронно-оптических приборов [2]
G11C 19/32     .с использованием сверхпроводящих приборов [2]
G11C 19/34     .с использованием запоминающих элементов с более, чем двумя устойчивыми состояниями, представляемыми скачками, например напряжения, тока, фазы, частоты [7]
G11C 19/36     ..с использованием полупроводниковых элементов [7]
G11C 19/38     .двухмерные, например горизонтальные и вертикальные сдвиговые регистры [7]
G11C 21/00Цифровые запоминающие устройства с циркуляцией информации (ступенчатые  19/00)
G11C 21/02     .с электромеханическими линиями задержки, например ртутными
G11C 23/00Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся характером движения механических частей, например с использованием шариков; элементы памяти для них (запоминание возбуждением контактов  11/48)
G11C 25/00Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся использованием текучей среды; элементы памяти для них
G11C 27/00Электрические аналоговые запоминающие устройства, например для запоминания мгновенных значений
G11C 27/02     .устройства для выборки и хранения информации ( 27/04 имеет преимущество; выборка электрических сигналов вообще  H 03K) [2, 4]
G11C 27/04     .сдвиговые регистры (устройства с зарядовой связью как таковые  H 01L 29/76) [4]
G11C 29/00Контроль правильности работы запоминающих устройств; испытание запоминающих устройств во время режима ожидания или автономного режима работы [1, 8]
G11C 29/02     .детектирование или определение местоположения неисправных вспомогательных схем, например неисправных счетчиков регенерации [8]
G11C 29/04     .детектирование или определение местоположения неисправных элементов памяти [8]
G11C 29/06     ..испытание на ускорение [8]
G11C 29/08     ..функциональные испытания, например испытание во время регенерации (обновления) данных, самотестирование при включении питания (POST) или распределенные испытания [8]
G11C 29/10     ...алгоритмы испытаний, например алгоритм сканирования памяти (MScan); последовательности тестирования, например в шахматном порядке [8]
G11C 29/12     ...встроенные (аппаратные) средства самотестирования (BIST) [8]
G11C 29/14     ....реализация логики управления, например декодеры режима тестирования [8]
G11C 29/16     .....с использованием микропрограммных блоков, например конечных автоматов [8]
G11C 29/18     ....устройства генерирования адреса; устройства для доступа к памяти, например элементы схем адресации [8]
G11C 29/20     .....и использованием счетчиков или сдвиговых регистров с линейной обратной связью (LFSR) [8]
G11C 29/22     .....доступ к последовательным запоминающим устройствам [8]
G11C 29/24     .....доступ к дополнительным ячейкам памяти, например резервным ячейкам или переполненным ячейки [8]
G11C 29/26     .....доступ к множественным массивам данных ( 29/24 имеет преимущество) [8]
G11C 29/28     ......зависимые множественные массивы, например многоразрядные массивы [8]
G11C 29/30     .....доступ к единичным массивам данных [8]
G11C 29/32     ......последовательный доступ; испытание сканированием [8]
G11C 29/34     ......доступ одновременно к множеству разрядов [8]
G11C 29/36     ....устройства формирования данных, например инверторы данных [8]
G11C 29/38     ....устройства проверки ответа на запрос [8]
G11C 29/40     .....с использованием методов сжатия данных [8]
G11C 29/42     .....с использованием кодов с исправлением ошибок (ECC) или констроля соотношений [8]
G11C 29/44     ....индикация или идентификация ошибок, например для ремонта [8]
G11C 29/46     ....испытание триггерных логических схем [8]
G11C 29/48     ...приспособления в статических запоминающих устройствах, специально предназначенные для испытаний с помощью внешних средств по отношению к запоминающему устройству, например использование прямого доступа к памяти или вспомогательных путей доступа (внешнее оборудование для испытаний  29/56) [8]
G11C 29/50     ..граничные испытания, например проверка скорости, напряжения или тока [8]
G11C 29/52     .защита содержимого памяти; обнаружение ошибок в содержимом памяти [8]
G11C 29/54     .устройства для разработки схем тестирования, например подпрограмм тестирования (DFT) [8]
G11C 29/56     .внешнее оборудование для испытаний статических запоминающих устройств, например автоматическое оборудование для тестирования (ATE) ; интерфейсы для таких испытаний [8]
G11C 99/00Тематика, не предусмотренная в других группах данного подкласса [8]

© 2014. Патинформбюро, В.И. Карнышев