РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ
ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ
ГОСУДАРСТВЕННАЯ РЕГИСТРАЦИЯ ПРОГРАММЫ ДЛЯ ЭВМ

Номер регистрации (свидетельства): 2016663155

Дата регистрации: 29.11.2016

Номер и дата поступления заявки: 2016660252 03.10.2016

Дата публикации: 20.12.2016
	
Авторы:
Балакирев Сергей Вячеславович,
Солодовник Максим Сергеевич,
Агеев Олег Алексеевич

Правообладатель:
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет» (Южный федеральный университет)

Название программы для ЭВМ:
Моделирование эпитаксиального роста GaAs/GaAs(001) методом Монте-Карло

Реферат:
Программа предназначена для моделирования эпитаксиального роста GaAs на поверхности GaAs(001) методом Монте-Карло. Реализованная в программе модель учитывает все основные процессы, происходящие при молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) GaAs(001) и может использоваться при планировании эксперимента с целью предсказания зависимостей характеристик растущей пленки от технологических режимов метода МЛЭ. Программа обеспечивает моделирование морфологии растущей пленки с учетом кристаллической структуры GaAs и реконструкции на поверхности GaAs(001), расчет геометрических характеристик двумерных островков, диффузионных характеристик адатомов Ga на поверхности GaAs(001), а также концентрации молекул и доли атомов мышьяка в растущей пленке.

Тип реализующей ЭВМ: IBM PC-совмест. ПК

Язык программирования: MATLAB

Вид и версия операционной системы: Windows ХР и выше

Объем программы для ЭВМ: 154 Кб