|
|
|
|
ТАБЛИЦА патентов США1)Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда. Проект РНФ № 23-29-0403 https://rscf.ru/project/23-29-00403/ (USPTO)
(2018–2022)
в подгруппе МПКМеждународная патентная классификация (редакция 2022 года).22 H02M7/5381
|
|
| № п/п | Патент (pdf) | Патент (html) | Название патента2)Перевод названий патентов США на русский язык выполнен Google Translate с помощью программы "QTranslate" (в автоматическом режиме). | Abstract (Реферат)3)Перевод рефератов патентов США на русский язык выполнен Google Translate с помощью программы "QTranslate" (в автоматическом режиме). | biblioБиблиографическая ссылка на патент США | |
2018 | ||||||
| 1 | 10128774 | открыть | Inverter inrush current limiting Ограничение пускового тока инвертора | EngA method and circuit arrangement is described for start-up and shut-down of high power DC to AC inverters which limits inrush current for capacitor charging, reduces input and output relay contact stress and discharges internal capacitors upon shut down. A preferred inrush limiting component has a higher resistance when hot than when cold, such as an incandescent filament lamp. | RusОписаны способ и схема пуска и останова высокомощных преобразователей постоянного тока в переменный, которые ограничивают пусковой ток для зарядки конденсаторов, снижают нагрузку на контакты входных и выходных реле и разряжают внутренние конденсаторы при выключении. Предпочтительный компонент ограничения пускового тока имеет более высокое сопротивление в горячем состоянии, чем в холодном, например, лампа накаливания накаливания. |  Копировать библиографическую ссылку |
| 2 | 9954521 | открыть | Gate drive circuit for semiconductor switching devices Схема привода затвора для полупроводниковых коммутационных устройств | EngA gate drive circuit includes first and second transistors for turning on and off semiconductor switching devices. The circuit includes a DC power supply for driving the first and second transistors. The gate drive circuit further includes a third transistor, a fourth transistor, and a DC power supply being a power supply for the third and fourth transistors with a voltage value lower than the voltage value of the DC power supply, thereby making lower the impedance of the path of a current flowing from the DC power supply to the gates of the switching devices through the third transistor than the impedance of the path of a current flowing from the DC power supply to the gates of the switching devices through the first transistor. | RusСхема управления затвором включает в себя первый и второй транзисторы для включения и выключения полупроводниковых переключающих устройств. Схема включает источник питания постоянного тока для управления первым и вторым транзисторами. Схема управления затвором дополнительно включает в себя третий транзистор, четвертый транзистор и источник питания постоянного тока, являющийся источником питания для третьего и четвертого транзисторов со значением напряжения ниже, чем значение напряжения источника питания постоянного тока, тем самым снижая полное сопротивление путь тока, протекающего от источника питания постоянного тока к затворам переключающих устройств через третий транзистор, чем импеданс пути тока, протекающего от источника постоянного тока к затворам переключающих устройств через первый транзистор. |  Копировать библиографическую ссылку |
| © 2023, ПАТ-Инфо, В.И. Карнышев
Дата формирования Таблицы: 29.07.2023 | ||||||
