|
|
|
|
ТАБЛИЦА патентов США1)Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда. Проект РНФ № 23-29-0403 https://rscf.ru/project/23-29-00403/ (USPTO)
(2018–2022)
в подгруппе МПКМеждународная патентная классификация (редакция 2022 года).22 H02M7/60
|
|
| № п/п | Патент (pdf) | Патент (html) | Название патента2)Перевод названий патентов США на русский язык выполнен Google Translate с помощью программы "QTranslate" (в автоматическом режиме). | Abstract (Реферат)3)Перевод рефератов патентов США на русский язык выполнен Google Translate с помощью программы "QTranslate" (в автоматическом режиме). | biblioБиблиографическая ссылка на патент США | |
2018 | ||||||
| 1 | 10008411 | открыть | Parallel plate waveguide for power circuits Волновод с параллельными пластинами для силовых цепей | EngA power semiconductor package includes a first group of semiconductor dies attached to a first side of a substrate and evenly distributed over a width of the substrate and a second group of semiconductor dies attached to the first side of the substrate and evenly distributed over the substrate width. Each die in the first and second groups has all terminals at one side which is attached to the first side of the substrate and an insulated or isolated face at a side opposite the side with the terminals. A first intermediary metal layer of the substrate forms a first DC terminal. A second intermediary metal layer of the substrate forms a second DC terminal. These intermediary metal layers are insulated from one another and form a parallel plate waveguide. Additional power semiconductor package embodiments are described. | RusКорпус силового полупроводника включает в себя первую группу полупроводниковых кристаллов, прикрепленных к первой стороне подложки и равномерно распределенных по ширине подложки, и вторую группу полупроводниковых кристаллов, прикрепленных к первой стороне подложки и равномерно распределенных по ширине подложки. . Каждый кристалл в первой и второй группах имеет все выводы на одной стороне, которая прикреплена к первой стороне подложки, и изолированную или изолированную поверхность на стороне, противоположной стороне с выводами. Первый промежуточный металлический слой подложки образует первый вывод постоянного тока. Второй промежуточный металлический слой подложки образует второй вывод постоянного тока. Эти промежуточные металлические слои изолированы друMот друга и образуют волновод с параллельными пластинами. Описаны дополнительные варианты осуществления корпусов силовых полупроводников. |  Копировать библиографическую ссылку |
| © 2023, ПАТ-Инфо, В.И. Карнышев
Дата формирования Таблицы: 29.07.2023 | ||||||
