Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10008931 United States, Int. Cl.22 G05F 1/575, G05F 1/46, G05F 1/56, G05F 1/565, G05F 1/618, H02M 3/158. Semiconductor integrated circuit : Appl. N 15/257131 : Filed 06.09.2016 : Pub. 26.06.2018 : / Hiroyuki Ideno, Hidefumi Kushibe ; Assignee Toshiba Memory Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10008931/en?oq=US10008931.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).