Библиографическая ссылка на патент

Pat. 10062686 United States, Int. Cl.22 H01L 21/8222, H01L 27/06, H01L 29/06, H01L 29/66, H01L 29/732, H01L 29/861, H02M 1/44, H02M 7/219. Reverse bipolar junction transistor integrated circuit : Appl. N 15/412051 : Filed 22.01.2017 : Pub. 28.08.2018 : / Kyoung Wook Seok ; Assignee Ixys LLC ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10062686/en?oq=US10062686.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).
Яндекс.Метрика