Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10068819 United States, Int. Cl.22 H01L 23/00, H01L 21/48, H01L 21/52, H01L 21/56, H01L 23/057, H01L 23/10, H01L 23/31, H01L 25/07, H02M 7/537. Semiconductor device : Appl. N 15/430695 : Filed 13.02.2017 : Pub. 04.09.2018 : / Seiji Oka, Hiroshi Yoshida, Hidetoshi Ishibashi, Yuji Imoto, Daisuke Murata, Kenta Nakahara ; Assignee Mitsubishi Electric Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10068819/en?oq=US10068819.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).