Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10071652 United States, Int. Cl.22 H02P 1/00, B60L 11/18, B60L 15/20, H02M 7/00, H03K 17/16, H03K 17/567, H02P 27/08. Dual mode IGBT gate drive to reduce switching loss : Appl. N 15/151944 : Filed 11.05.2016 : Pub. 11.09.2018 : / Xi Lu, Chingchi Chen, Zhuxian Xu, Ke Zou ; Assignee Ford Global Technologies LLC ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10071652/en?oq=US10071652.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).