Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10083930 United States, Int. Cl.22 H01L 23/00, H01L 23/495, H02M 3/158. Semiconductor device reducing parasitic loop inductance of system : Appl. N 15/411899 : Filed 20.01.2017 : Pub. 25.09.2018 : / Huaifeng Wang, Eric Braun, Hunt Hang Jiang, Francis Yu ; Assignee Monolithic Power Systems Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10083930/en?oq=US10083930.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).