Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10090757 United States, Int. Cl.22 H02M 1/42, H02M 1/08, H02M 7/06, H02M 1/00. Power factor correction circuit and method : Appl. N 15/673011 : Filed 09.08.2017 : Pub. 02.10.2018 : / Jintae Kim, Sangcheol Moon, Hangseok Choi ; Assignee Fairchild Semiconductor Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10090757/en?oq=US10090757.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).