Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10116302 United States, Int. Cl.22 G05F 1/56, G05F 1/46, H02M 7/537, H03K 17/082, H03K 17/687, H03K 17/08. Semiconductor device : Appl. N 15/872099 : Filed 16.01.2018 : Pub. 30.10.2018 : / Haruhiko Murakami, Rei Yoneyama, Masayuki Ando, Hiroyuki Okabe ; Assignee Mitsubishi Electric Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10116302/en?oq=US10116302.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).