Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10135337 United States, Int. Cl.22 H01L 29/778, H01L 23/498, H01L 29/20, H01L 29/205, H01L 29/423, H02M 1/34, H02M 3/158. Semiconductor device : Appl. N 15/491875 : Filed 19.04.2017 : Pub. 20.11.2018 : / Ryohei Nega, Yoshinao Miura ; Assignee Renesas Electronics Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10135337/en?oq=US10135337.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).