Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10170613 United States, Int. Cl.22 H02M 3/00, H01L 29/06, H01L 29/10, H01L 29/20, H01L 29/47, H01L 29/778, H02M 3/158. Semiconductor device : Appl. N 15/664767 : Filed 31.07.2017 : Pub. 01.01.2019 : / Yu-Syuan Lin, Jiun-Lei Yu, Ming-Cheng Lin, Chun Lin Tsai ; Assignee Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Tsmc Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10170613/en?oq=US10170613.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).