Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10192820 United States, Int. Cl.22 H01L 23/522, H01L 23/34, H01L 23/535, H01L 23/538, H01L 25/07, H01L 25/18, H02M 3/155. Semiconductor device : Appl. N 15/553792 : Filed 04.02.2016 : Pub. 29.01.2019 : / Yoshihisa Tsukamoto, Masashi Hayashiguchi, Soichiro Takahashi ; Assignee Rohm Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10192820/en?oq=US10192820.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).