Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10199918 United States, Int. Cl.22 H02M 3/335, H02M 1/08, H02M 1/15, H02M 1/00. Method of forming a semiconductor device : Appl. N 16/029917 : Filed 09.07.2018 : Pub. 05.02.2019 : / Martin Podzemny, Vaclav Peroutka ; Assignee Semiconductor Components Industries LLC ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10199918/en?oq=US10199918.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).