Библиографическая ссылка на патент

Pat. 10204849 United States, Int. Cl.22 H01L 23/34, B62D 5/04, H01L 23/00, H01L 23/04, H01L 23/31, H01L 23/495, H01L 25/065, H01L 27/06, H01L 29/66, H01L 31/111, H02M 7/00, H02M 7/537, H02P 27/06. Semiconductor device : Appl. N 15/850009 : Filed 21.12.2017 : Pub. 12.02.2019 : / Hiroyuki Nakamura, Hiroya Shimoyama ; Assignee Renesas Electronics Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10204849/en?oq=US10204849.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).
Яндекс.Метрика