Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10236779 United States, Int. Cl.22 H02M 3/335, H02M 1/08, H02M 1/00. Semiconductor device and method therefor : Appl. N 15/472802 : Filed 29.03.2017 : Pub. 19.03.2019 : / Zhibo Tao, Chih-Hsien Hsieh, Yue-Hong Tang ; Assignee Fairchild Semiconductor Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10236779/en?oq=US10236779.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).