Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10250131 United States, Int. Cl.22 H03F 1/02, G05F 1/10, H02M 3/07. Low-noise high efficiency bias generation circuits and method : Appl. N 15/602042 : Filed 22.05.2017 : Pub. 02.04.2019 : / Tae Youn Kim, Robert Mark Englekirk, Dylan J. Kelly ; Assignee Psemi Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10250131/en?oq=US10250131.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).