Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10256640 United States, Int. Cl.22 H02J 5/00, H01L 23/48, H01L 25/07, H01L 25/18, H02M 1/088, H02M 7/00, H02M 7/537. Semiconductor device : Appl. N 15/568005 : Filed 24.05.2016 : Pub. 09.04.2019 : / Nobuyuki Kato ; Assignee Denso Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10256640/en?oq=US10256640.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).