Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10256813 United States, Int. Cl.22 H03K 3/00, H02M 3/158, H03K 17/687, H02M 1/08. Fast transient high-side gate driving circuit : Appl. N 15/497337 : Filed 26.04.2017 : Pub. 09.04.2019 : / Taewoo Kwak, Joseph Rutkowski ; Assignee Qualcomm Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10256813/en?oq=US10256813.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).