Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10291229 United States, Int. Cl.22 H03K 19/177, G05F 1/66, G06F 1/28, H02M 3/158, H03K 19/0175. Programmable logic device with integrated high voltage power FET : Appl. N 15/854589 : Filed 26.12.2017 : Pub. 14.05.2019 : / Kapil Shankar, Thomas Chan, Patrick J. Crotty, John Birkner ; Assignee Andapt Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10291229/en?oq=US10291229.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).