Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10298115 United States, Int. Cl.22 H02H 3/00, H01L 29/16, H01L 29/872, H02H 7/122, H02M 1/00, H02M 1/32, H02M 7/48, H02M 7/487, H02M 7/5387, H01L 25/18, H01L 27/02. Semiconductor device : Appl. N 15/305872 : Filed 11.09.2014 : Pub. 21.05.2019 : / Hitoshi Uemura ; Assignee Mitsubishi Electric Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10298115/en?oq=US10298115.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).