Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10298120 United States, Int. Cl.22 H02M 3/07, H02M 1/32. Charge pump circuit and boosting circuit : Appl. N 15/838030 : Filed 11.12.2017 : Pub. 21.05.2019 : / Nobukazu Murata ; Assignee Lapis Semiconductor Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10298120/en?oq=US10298120.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).