Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10312227 United States, Int. Cl.22 H01L 25/18, H01L 23/055, H01L 23/28, H01L 25/07, H02M 5/458, H02M 7/00, H02M 7/5387, H02M 3/158, H02P 27/08. Power semiconductor module : Appl. N 16/068934 : Filed 18.02.2016 : Pub. 04.06.2019 : / Yukio Nakashima, Takeshi Tanaka ; Assignee Mitsubishi Electric Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10312227/en?oq=US10312227.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).