Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10340817 United States, Int. Cl.22 H02M 7/537, H01L 27/06, H01L 29/16, H02M 1/38. Silicon carbide MOSFET inverter circuit : Appl. N 16/124535 : Filed 07.09.2018 : Pub. 02.07.2019 : / Takumi Fujimoto, Mikiya Chounabayashi ; Assignee Fuji Electric Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10340817/en?oq=US10340817.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).