Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10348179 United States, Int. Cl.22 H02M 1/00, H01L 23/00, H01L 23/28, H01L 23/495, H02M 7/00, H02M 1/32. Power semiconductor device : Appl. N 15/572181 : Filed 20.08.2015 : Pub. 09.07.2019 : / Kosuke Yamaguchi, Tomofumi Tanaka ; Assignee Mitsubishi Electric Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10348179/en?oq=US10348179.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).