Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10418899 United States, Int. Cl.22 H02M 3/158, H03K 17/16. MOSFET switch circuit for slow switching application : Appl. N 14/252568 : Filed 14.04.2014 : Pub. 17.09.2019 : / Sik K. Lui, Daniel S. Ng, Xiaobin Wang ; Assignee Alpha and Omega Semiconductor Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10418899/en?oq=US10418899.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).