Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10425030 United States, Int. Cl.22 H01L 31/072, H01L 23/64, H02M 1/34, H02P 27/04, H03K 17/687, H05K 1/02, H02M 3/158, H02M 7/5387. Semiconductor device : Appl. N 15/905345 : Filed 26.02.2018 : Pub. 24.09.2019 : / Masashi Nagasato ; Assignee Rohm Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10425030/en?oq=US10425030.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).