Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10469065 United States, Int. Cl.22 H03K 3/00, H02M 3/155, H03K 3/57, H03K 17/06, H03K 17/687, H01L 29/778. Multi-level gate control for transistor devices : Appl. N 15/909126 : Filed 01.03.2018 : Pub. 05.11.2019 : / Horst Knoedgen, Christoph N. Nagl, Nebojsa Jelaca, Frank Kronmueller, Ambreesh Bhattad ; Assignee Dialog Semiconductor Uk Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10469065/en?oq=US10469065.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).