Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10475880 United States, Int. Cl.22 H01L 29/06, H01L 29/78, H02M 7/217, H01L 29/10, H02M 1/08. Transistor device with high avalanche robustness : Appl. N 15/685228 : Filed 24.08.2017 : Pub. 12.11.2019 : / Giulio Fragiacomo, Armin Willmeroth, Bjoern Fischer, Rene Mente ; Assignee Infineon Technologies Austria Ag ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10475880/en?oq=US10475880.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).