Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10505521 United States, Int. Cl.22 H03K 3/26, H02M 3/07, H03K 3/356. High voltage driver capable of preventing high voltage stress on transistors : Appl. N 16/045692 : Filed 25.07.2018 : Pub. 10.12.2019 : / Cheng-Te Yang ; Assignee Ememory Technology Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10505521/en?oq=US10505521.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).