Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10516341 United States, Int. Cl.22 H02M 3/335, H02M 1/08. Synchronous rectifier gate voltage boost method and system : Appl. N 16/223288 : Filed 18.12.2018 : Pub. 24.12.2019 : / Jian Ming Fu, Chou-Sheng Wang, Zhibo Tao ; Assignee Semiconductor Components Industries LLC ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10516341/en?oq=US10516341.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).