Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10523104 United States, Int. Cl.22 H02M 3/158, H02M 1/088, H03K 17/10. Power transistor bias circuit : Appl. N 16/434603 : Filed 07.06.2019 : Pub. 31.12.2019 : / Xinyu Wang, Qiang Xie, Liang Chen ; Assignee Huawei Technologies Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10523104/en?oq=US10523104.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).