Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10582580 United States, Int. Cl.22 H02M 3/156, H01L 27/088, H05B 44/00, H02M 1/088. Switch comprising a field effect transistor and integrated circuit : Appl. N 15/139800 : Filed 27.04.2016 : Pub. 03.03.2020 : / Andreas Meiser, Till Schloesser ; Assignee Infineon Technologies Ag ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10582580/en?oq=US10582580.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).