Библиографическая ссылка на патент

Pat. 10630170 United States, Int. Cl.22 H02M 1/42, H02M 1/08, H02M 1/12, H02M 1/15, H02M 7/06, H02M 1/00. Power factor correction circuit and method : Appl. N 16/117341 : Filed 30.08.2018 : Pub. 21.04.2020 : / Jintae Kim, Sangcheol Moon, Hangseok Choi ; Assignee Fairchild Semiconductor Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10630170/en?oq=US10630170.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).
Яндекс.Метрика