Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10630279 United States, Int. Cl.22 H02M 1/32, G01R 19/165, H02M 7/537, H03K 5/24, H03K 17/08, H02M 1/00. Power semiconductor device : Appl. N 16/376923 : Filed 05.04.2019 : Pub. 21.04.2020 : / Kazuhiro Kawahara, Koichiro Noguchi ; Assignee Mitsubishi Electric Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10630279/en?oq=US10630279.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).