Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10659041 United States, Int. Cl.22 H02M 1/08, H02M 1/32, H02M 7/15, H02M 7/162, H03K 17/10, H03K 17/72, H03K 17/725. Control of an anode-gate thyristor : Appl. N 16/240409 : Filed 04.01.2019 : Pub. 19.05.2020 : / Ghafour Benabdelaziz, Romain Pichon ; Assignee Stmicroelectronics Tours Sas ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10659041/en?oq=US10659041.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).