Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10715055 United States, Int. Cl.22 H02M 1/32, G01R 19/165, H02M 7/5387, H03K 17/082. Power semiconductor circuit having a field effect transistor with low energy losses : Appl. N 15/199969 : Filed 30.06.2016 : Pub. 14.07.2020 : / Gunter Koenigsmann, Thomas Eck ; Assignee Semikron Elektronik Gmbh and Co Kg ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10715055/en?oq=US10715055.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).