Библиографическая ссылка на патент

Pat. 10826480 United States, Int. Cl.22 H03K 17/08, H03K 19/0175, H03K 19/0185, H01L 23/525, H02M 1/08, H02M 3/155. Gate driver to decrease EMI with shorter dead-time : Appl. N 15/640505 : Filed 01.07.2017 : Pub. 03.11.2020 : / Thinh Ba Nguyen, Thien Khanh Luong, Thuc Huu Lam, Hue Khac Trinh ; Assignee Active Semi Bvi Inc ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10826480/en?oq=US10826480.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).
Яндекс.Метрика