Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10854598 United States, Int. Cl.22 H01L 27/06, H01L 27/07, H01L 29/16, H01L 29/861, H01L 29/868, H01L 29/872, H02M 7/06, H02M 7/219. Semiconductor diode : Appl. N 14/620772 : Filed 12.02.2015 : Pub. 01.12.2020 : / Anton Mauder, Philipp Seng ; Assignee Infineon Technologies Austria Ag ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10854598/en?oq=US10854598.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).