Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10867931 United States, Int. Cl.22 H01L 29/66, H01L 23/00, H01L 23/31, H01L 23/538, H01L 25/07, H02M 3/158. MOS transistor embedded substrate and switching power supply using the same : Appl. N 16/566874 : Filed 11.09.2019 : Pub. 15.12.2020 : / Hironori Chiba, Toshiyuki Abe ; Assignee Tdk Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10867931/en?oq=US10867931.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).