Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10886202 United States, Int. Cl.22 H01L 23/495, H02M 7/00, H02M 7/537, H02M 7/5387. Semiconductor device : Appl. N 15/408830 : Filed 18.01.2017 : Pub. 05.01.2021 : / Hiroyuki Nakamura ; Assignee Mitsubishi Electric Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10886202/en?oq=US10886202.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).