Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10886862 United States, Int. Cl.22 H01L 29/40, H01L 23/48, H02M 7/00, H02M 7/5387, H02P 6/10, H03K 17/16, H05K 1/02, B62D 5/04. Semiconductor device : Appl. N 16/000095 : Filed 05.06.2018 : Pub. 05.01.2021 : / Nobutaka Okumura ; Assignee Jtekt Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10886862/en?oq=US10886862.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).