Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10886917 United States, Int. Cl.22 H02M 1/08, H02M 7/5387, H02M 7/5388, H02M 7/539, H02M 7/5395, H03K 17/687. Power transistor control circuit : Appl. N 16/692001 : Filed 22.11.2019 : Pub. 05.01.2021 : / Dominique Bergogne ; Assignee Commissariat A Lenergie Atomique Et Aux Energies Alternatives Cea ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10886917/en?oq=US10886917.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).