Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10892218 United States, Int. Cl.22 H01L 23/522, H01L 23/34, H01L 23/535, H01L 23/538, H01L 25/07, H01L 25/18, H02M 3/155. Semiconductor device : Appl. N 16/597149 : Filed 09.10.2019 : Pub. 12.01.2021 : / Yoshihisa Tsukamoto, Masashi Hayashiguchi, Soichiro Takahashi ; Assignee Rohm Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10892218/en?oq=US10892218.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).