Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10897194 United States, Int. Cl.22 H02M 1/42, H02M 1/00, H02M 3/156. Power factor improvement circuit and semiconductor apparatus : Appl. N 16/807099 : Filed 02.03.2020 : Pub. 19.01.2021 : / Nobuyuki Masuda, Takato Sugawara ; Assignee Fuji Electric Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10897194/en?oq=US10897194.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).