Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10903676 United States, Int. Cl.22 H02J 7/00, H02M 1/00, H02M 3/158, H02M 3/22. Semiconductor device : Appl. N 15/867893 : Filed 11.01.2018 : Pub. 26.01.2021 : / Sung Kyu Cho, Hyoung Seok Oh, Kwang Chan Lee, Dae Woong Cho, Jung Wook Heo ; Assignee Samsung Electronics Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10903676/en?oq=US10903676.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).