Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10923173 United States, Int. Cl.22 G11C 11/4074, G11C 5/14, G11C 11/413, G11C 16/26, G11C 16/30, H02M 3/07. Voltage generating circuit, semiconductor memory device, and voltage generating method : Appl. N 16/438498 : Filed 12.06.2019 : Pub. 16.02.2021 : / Akira Akahori ; Assignee Lapis Semiconductor Co Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10923173/en?oq=US10923173.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).