Библиографическая ссылка на патент
Pat. 10985636 United States, Int. Cl.22 H02K 11/33, H01L 23/367, H01L 23/50, H01L 25/07, H01L 25/18, H02K 3/50, H02M 7/48. Semiconductor device : Appl. N 16/395481 : Filed 26.04.2019 : Pub. 20.04.2021 : / Masayoshi Nishihata, Nobumasa Ueda, Hiroki Kiyose ; Assignee Denso Corp ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US10985636/en?oq=US10985636.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).