Библиографическая ссылка на патент
Pat. 11022636 United States, Int. Cl.22 G01R 27/26, G01R 19/00, G01R 31/40, H02M 1/08, H02M 3/155, H02M 1/00, H02M 3/156. Current sensor circuit : Appl. N 16/684971 : Filed 15.11.2019 : Pub. 01.06.2021 : / Paul Ranucci ; Assignee Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Tsmc Ltd ; NN p. : patents.google.com : URL: https://patents.google.com/patent/US11022636/en?oq=US11022636.html (дата обращения: ДД.ММ.ГГГГ).